本发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板及制作方法,用以降低TFT-LCD阵列基板的不良率。该制作方法包括:在基板上分别形成栅极线,有源层,薄膜晶体管TFT开关,以及信号线,其中,通过形成所述有源层的构图工艺在交叉区域中形成缓冲层,所述交叉区域包括:与栅极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域;在形成了信号线的基板上形成像素电极。
1.一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:在基板上分别形成栅极线,有源层,薄膜晶体管TFT开关,以及信号线,其中,通过形成所述有源层的构图工艺在交叉区域中形成缓冲层,所述交叉区域包括:与栅极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域,且所述设定区域与相邻的信号线不相交或与相邻的像素电极不相交;在形成了所述信号线的基板上形成像素电极。
2.如权利要求1所述的制作方法,其特征在于,当在基板上形成公共电极时,所述交叉区域包括:与栅极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域,或,与公共电极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域,或,与栅极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域以及与公共电极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域。
3.如权利要求1或2所述的制作方法,其特征在于,所述在基板上分别形成栅极线,有源层,薄膜晶体管TFT开关,以及信号线包括:通过第一次构图工艺在沉积了栅金属层的基板上形成栅极线,并通过第二次构图工艺在形成栅极线的基板上形成有源层,信号线,以及TFT开关,其中,所述第二次构图工艺的掩膜板部分透光区域包括:TFT开关的沟槽,与所述交叉区域对应的第一掩膜区域;或,通过第一次构图工艺在沉积了栅金属层的基板上形成栅极线,并通过第二次构图工艺形成有源层,以及TFT沟道,以及通过第三次构图工艺在形成了TFT沟道的基板上形成信号线,以及TFT源漏电极,其中,所述第二次构图工艺的掩膜板不透光区域包括:与所述交叉区域对应的第二掩膜区域。
4.如权利要求3所述的制作方法,其特征在于,所述通过第二次构图工艺在形成栅极线的基板上形成有源层,信号线,以及TFT开关包括:在形成栅极线的基板上依次沉积栅绝缘层、有源层以及源漏金属层;在所述源漏金属层上涂抹光刻胶后,通过掩膜板对所述光刻胶进行曝光和显影处理,形成的基板包括保留第一厚度光刻胶的第一区域,以及保留第二厚度光刻胶的第二区域,其中,所述第一区域分别与所述掩膜板上的不透光区域相对应,所述掩膜板上的不透光区域包括形成信号线、TFT开关的图形,所述第二区域分别与所述掩膜板上的部分透光区域对应;将所述基板上第一区域与第二区域以外区域中的源漏金属层、有源层依次刻蚀掉;对所述光刻胶进行灰化,去掉第二厚度的光刻胶;将去掉光刻胶的第二区域中的源漏金属层、以及有源层中的掺杂半导体层刻蚀掉;将灰化后剩下的光刻胶进行剥离,形成信号线,以及TFT开关。
5.如权利要求3所述的制作方法,其特征在于,所述通过第二次构图工艺形成有源层,以及TFT沟道包括:在形成栅极线的基板上依次沉积栅绝缘层、有源层以及源漏金属层;在所述源漏金属层上涂抹光刻胶后,通过掩膜板对所述光刻胶进行曝光和显影处理,形成的基板上的所述交叉区域保留光刻胶;将所述基板上未保留光刻胶的区域中的源漏金属层、有源层依次刻蚀掉;将保留的光刻胶进行剥离,形成有源层,以及TFT沟道。
6.如权利要求3所述的制作方法,其特征在于,所述部分透光区域的透光率为30-70%之间。
7.如权利要求1或2所述的制作方法,其特征在于,所述设定区域的形状包括:方形,三角形,或圆弧形。
8.如权利要求7所述的制作方法,其特征在于,当所述设定区域为方形区域时,所述方形区域的第一边与所述信号线重合,所述方形区域的第二边与第一边平行且相距2~4um;所述方形区域的第三边和第四边分别与所述栅极线平行,且位于所述栅极线的两侧,第四边与第三边相距4~8um。
9.一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板,包括:栅极线,有源层,薄膜晶体管TFT开关,信号线,以及像素电极,其特征在于,交叉区域中包括:缓冲层,其中,所述交叉区域包括:与栅极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域;所述缓冲层包括:半导体层,或者,有源层;所述有源层包括:半导体层和掺杂半导体层。
10.如权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:公共电极;则所述交叉区域包括:与栅极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域,或,与公共电极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域,或,与栅极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域以及与公共电极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域。
11.如权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,采用权利要求1-7中任一权利要求所述的方法制作。技术领域
本发明涉及液晶显示器技术领域,特别涉及一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板及制作方法。
背景技术
近年来,随着科学技术的进步,数字化电视开始走进日常生活中。薄膜晶体管液晶显示器(Thinxa0Firmxa0Transistorxa0Liquidxa0Crystalxa0Display,TFT-LCD)以其体积小,功耗低,无辐射,分辨率高等优点成为了目前的主导产品。TFT-LCD主要由对盒的阵列基板和彩膜基板构成,其中,TFT-LCD阵列基板的制作工艺决定了其产品性能、成品率和价格。目前,TFT-LCD阵列基板是通过多次构图工艺来完成,每一次构图工艺中有分别包括:掩膜、曝光、显影、刻蚀和剥离等工艺,其中,刻蚀工艺包括干法刻蚀和湿法刻蚀,所以构图工艺的次数是衡量制作TFT-LCD阵列基板的繁简程度的标准,减少构图工艺的次数就意味着制作成本的降低。现有的TFT-LCD阵列基板参见图1,包括:栅极线1,TFT开关2,信号线3,像素电极4。一般通过四次构图工艺来完成,具体包括:在基板上沉积栅金属,通过第一构图工艺形成栅极线;在基板上连续沉积栅极绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和源漏金属层,通过第二构图工艺形成有源层、信号线,以及TFT开关;继续沉积钝化层,通过第三次构图工艺形成钝化层以及过孔;沉积透明导电层,通过第四次构图工艺形成像素电极。从而形成了TFT-LCD阵列基板。由于在形成了栅极线的基板上连续沉积栅极绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和源漏金属层后,通过第二构图工艺形成有源层、信号线,以及TFT开关,因此,参见图2(图2为图1中第二次构图工艺后A-A方向的截面图),信号线与栅极线之间的半导体层、掺杂半导体层都被刻蚀了,即直接从栅极绝缘层(SIN_X)跃迁到源漏金属层(SD)。这样,信号线与栅极线的交叉区域有一个比较陡峭的斜坡,从而,在后续的构图工艺中,由于斜坡的坡度角比较大,上面覆盖的光刻胶厚度比其他的区域薄,在进行湿法刻蚀时,药液容易发生钻刻,使得交叉区域的信号线出现断线开路。当该阵列基板还包括公共电极时,如图1中的公共电极6,一般通过第一构图工艺同时形成栅极线和公共电极。因此,信号线与公共电极线的交叉区域也有一个比较陡峭的斜坡,也容易在后续的构图工艺中,湿法刻蚀药液发生钻刻,使得该交叉区域的信号线出现断线开路。由此可见,现有的四次构图工艺制作的TFT-LCD阵列基板中,信号线在与栅极线或公共电极线交叉区域容易有断点,造成不良的TFT-LCD阵列基板。
发明内容
本发明实施例提供一种TFT-LCD阵列基板及制作方法,用以降低TFT-LCD阵列基板的不良率。本发明实施例提供一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制作方法,包括:在基板上分别形成栅极线,有源层、薄膜晶体管TFT开关,以及信号线,其中,通过形成所述有源层的构图工艺在交叉区域中形成缓冲层,所述交叉区域包括:与栅极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域;在形成了信号线的基板上形成像素电极。本发明实施例提供一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板,包括:栅极线,有源层,薄膜晶体管TFT开关,信号线,以及像素电极,其中,交叉区域中包括:缓冲层,所述交叉区域包括:与栅极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域;所述缓冲层包括:半导体层,或者,有源层。本发明实施例中,通过多次构图工艺制作TFT-LCD阵列基板,其中,通过形成所述有源层的构图工艺在交叉区域中形成缓冲层,该交叉区域包括与栅极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域,这样,制作的TFT-LCD阵列基板中,与栅极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域包括:缓冲层,即在信号线与栅极线交叉区中保留有半导体层,或者,有源层,从而,在交叉区域形成一个两级台阶,即从栅极绝缘层先跃迁到缓冲层,然后再跃迁到源漏金属层,极大的减少了交叉区域中斜坡的坡度角,在后续的构图工艺中该区域能够涂抹上比较厚的光刻胶,进行湿法刻蚀时,减少了药液发生钻刻的几率,减少了交叉区域的信号线断路的几率,提高了TFT-LCD阵列基板的良品率。
附图说明
图1为现有技术中TFT-LCD阵列基板的示意图;图2为图1中第二次构图工艺后A-A方向的截面图;图3为本发明实施例中制作TFT-LCD阵列基板的流程图;图4(a)为本发明实施例一中TFT-LCD阵列基板的示意图;图4(b)为本发明实施例中图4(a)中第二次构图工艺后B-B方向的截面图;图5为本发明实施例一中制作TFT-LCD阵列基板信号线和TFT开关的流程图;图6为本发明实施例二中第三次构图工艺后TFT-LCD阵列基板B-B方向的截面图;图7为本发明实施例二中制作TFT-LCD阵列基板信号线的流程图;图8(a)为本发明实施例中包括公共电极的TFT-LCD阵列基板的示意图;图8(b)为本发明实施例中图8(a)中形成信号线构图工艺后C-C方向的截面图;图9为本发明实施例中双栅线TFT-LCD阵列基板的示意图。
具体实施方式
本发明实施例中,通过构图工艺形成TFT-LCD阵列基板的有源层时,在交叉区域中形成缓冲层,该交叉区域包括与栅极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域,这样,信号线与栅极线之间保留了半导体层,或者,半导体层和掺杂半导体层,从而,信号线与栅极线的交叉区域中有一个两级台阶,即从栅极绝缘层先跃迁到缓冲层,然后再跃迁到源漏金属层。因此,极大的减少了交叉区域中斜坡的坡度角,在后续的构图工艺中该区域能够涂抹上比较厚的光刻胶,进行湿法刻蚀时,减少了药液发生钻刻的几率,减少了交叉区域的信号线断路的几率,提高了TFT-LCD阵列基板的良品率。本发明实施例中采用构图工艺来完成TFT-LCD阵列基板,参见图3,具体为:步骤301:在基板上分别形成栅极线,有源层,薄膜晶体管TFT开关,以及信号线。其中,通过形成有源层的构图工艺在交叉区域中形成缓冲层,该交叉区域包括与栅极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域。本发明实施例中,可以通过三次、四次、五次、或更多次构图工艺形成阵列基板,因此,这里,可以通过两次或三次构图工艺形成栅极线,有源层,薄膜晶体管TFT开关,以及信号线。其中,通过两次构图工艺形成栅极线,有源层,薄膜晶体管TFT开关,以及信号线包括:通过第一次构图工艺在沉积了栅金属层的基板上形成栅极线,并通过第二次构图工艺在形成栅极线的基板上形成有源层,信号线,以及TFT开关。此时,形成有源层的构图工艺为第二次构图工艺。因此,第二构图工艺中的掩膜板上仍采用了halftone(半色调掩模板)工艺,即该掩膜板上不仅包括了透光区域和不透光区域,而且,还包括了部分透光区域。其中,不透光区域一般包括:设计的信号线,TFT开关的图形。而部分透光区域包括:TFT开关的沟槽,以及与交叉区域对应的第一掩膜区域。即与现有工艺不同之处在于该掩膜板上的部分透光区域包括:TFT开关的沟槽,以及以及与交叉区域对应的第一掩膜区域,而交叉区域包括阵列基板上与栅极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域。本发明实施例中,还可通过三次构图工艺形成栅极线,薄膜晶体管TFT开关,以及信号线包括:通过第一次构图工艺在沉积了栅金属层的基板上形成栅极线,并通过第二次构图工艺形成有源层,以及TFT沟道,以及通过第三次构图工艺在形成了TFT沟道的基板上形成信号线,以及TFT源漏电极。此时,形成有源层的构图工艺仍为第二次构图工艺,第二构图工艺中的掩膜板上一般只包括不透光区域和透光区域,其中,不透光区域不仅包括:设计的的信号线,TFT源漏电极,而且还包括与交叉区域对应的第二掩膜区域,即与现有工艺不同之处在于,该掩膜板的不透光区域还包括:与交叉区域对应的第二掩膜区域,而交叉区域包括阵列基板上与栅极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域。本发明实施例中交叉区域包括:与栅极线交叉处的信号线一侧的设定区域,为进一步减小交叉区域的信号线出现断线开路的几率,该交叉区域包括:与栅极线交叉处的信号线两侧的设定区域设定区域的形状包括:方形,三角形,或圆弧形。一般设定区域为方形区域时,较佳地,该方形区域的第一边与信号线重合,方形区域的第二边与第一边平行且相距2~4um;方形区域的第三边和第四边分别与栅极线平行,且位于栅极线的两侧,第四边与第三边相距4~8um,即沿信号线切面方向向外扩展2~4um,以及沿栅线切面方向向外扩展2~4um,由此获得的区域为交叉区域。较佳地,可以选择3um。这样既能够保证起到缓冲的作用,也不会对像素区域产生不良影响。当然,只要两侧方向的沿伸确保与相邻的信号线不相交或与相邻的像素电极不相交,获得区域即可为交叉区域。在设计好第二次构图工艺的掩膜板后,即可采用现有技术的工艺在在基板上分别形成栅极线,有源层,薄膜晶体管TFT开关,以及信号线。步骤302:在形成了信号线的基板上形成像素电极。这里,继续通过构图工艺形成像素电极。可以通过一次,两次,三次或更多次构图工艺形成阵列基板的像素电极,即可采用现有技术形成阵列基板的像素电极。若步骤301中的两次或三次构图工艺后不仅形成了栅极线,有源层,薄膜晶体管TFT开关,以及信号线,而且还形成了钝化层以及过孔,这里,只需采用一次构图工艺就可形成阵列基板的像素电极。若步骤301中两次或三次构图工艺后仅形成了栅极线,有源层,薄膜晶体管TFT开关,以及信号线,这里可采用两次,三次或更多次构图工艺形成像素电极。其中,采用两次构图工艺形成像素电极,包括:在形成了信号线,以及TFT开关的基板上沉积钝化层,并通过一次构图工艺形成钝化层以及在TFT开关的漏电极上面形成钝化层过孔。其中,钝化层的材质分别包括:SiNx、SiOx、和SiOxNy中的一种或多种。然后,在形成了钝化层的基板上通过溅射或热蒸发的方法,沉积透明导电层,并再通过一次构图工艺形成像素电极,使该像素电极通过过孔与TFT开关的漏电极连接。或者,还可以采用三次构图工艺形成TFT-LCD阵列基板的像素电极,具体包括:通过化学气相沉积方法,在基板上形成SiNx或者SiOx或者SiOxNy材料,形成钝化层。钝化层形成后,进行一次构图工艺,即过孔的光刻工艺,包括:通过正性光刻胶或者负性光刻胶将所需要的图形复制在基板上,通过干法刻蚀的方法将完成过孔光刻工艺的基板进行刻蚀,将过孔处的钝化层刻蚀掉,裸露出过孔下面的金属层,与像素电极相连。将完成过孔刻蚀工艺的玻璃基板进行光刻胶的剥离,再进行下一步的像素电极成形工艺。像素电极成形工艺即像素电极构图工艺包括:采用物理气相沉积方法在完成钝化层过孔工艺的玻璃基板上蒸镀透明像素电极,透明像素电极材料有ITO或者IZO。透明像素电极蒸镀工艺完成后,进行像素电极的光刻工艺,通过正性光刻胶或者负性光刻胶将透明像素电极所需要的图形复制在基板上。像素电极的光刻工艺完成后,通过湿法刻蚀的方法进行透明像素电极的刻蚀,将最终所需要的图形刻蚀出来。完成透明像素电极的刻蚀工艺后,将残留在基板上的光刻胶进行剥离,即完成了像素电极的成形工艺。由上可知,本发明实施例可通过上述三次、四次、五次或多次构图工艺即可形成TFT-LCD阵列基板。下面结合说明书附图对本发明实施例作进一步详细描述。实施例一,本实施例中,通过四次构图工艺形成TFT-LCD阵列基板,包括:通过第一次构图工艺在基板上形成栅极线,其中,TFT-LCD阵列基板的基板一般为玻璃基板,采用溅射或热蒸发的方法,在该基板上沉积一层栅金属层,然后,在栅金属层上涂抹光刻胶后,通过具有栅极线图形的掩膜板对光刻胶进行曝光、显影处理、并通过刻蚀和剥离等工艺形成栅极线。这里,刻蚀为湿法刻蚀,通过药液将没有光刻胶覆盖的金属刻蚀掉。栅金属层的材质包括:Al、Mo、Cu、MoW、和Cr中的一种或多种。通过第二次构图工艺在形成了栅极线的基板上形成有源层,薄膜晶体管TFT开关,以及信号线,其中,第二构图工艺中的掩膜板上的部分透光区域包括:与交叉区域对应的第一掩膜区域,而交叉区域为阵列基板上与栅极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域。此时,在交叉区域形成缓冲层,缓冲层包括半导体层。通过第三次构图工艺形成钝化层以及在TFT开关的漏电极上面形成钝化层过孔。其中,钝化层的材质分别包括:SiNx、SiOx、和SiOxNy中的一种或多种。最后,在形成了钝化层的基板上通过溅射或热蒸发的方法,沉积透明导电层,并通过第四次构图工艺形成像素电极,使该像素电极通过过孔与TFT开关的漏电极连接。形成的的TFT-LCD阵列基板如图4(a)所示,该阵列基板包括:栅极线1,TFT开关2,信号线3,像素电极4,以及信号线与栅极线的交叉区域5。该交叉区域5包括该阵列基板上,与栅极线交叉的信号线的两侧的设定区域。图4(b)为图4(a)第二构图工艺后B-B方向的截面图,其中,包括:玻璃基板(Glass)、栅线层(G)、栅极绝缘层(SIN_X),半导体层(a-Si)、掺杂半导体层(n+a-Si),以及源漏金属层(SD)。下面结合图4(b)对本发明实施例中通过第二构图工艺在形成栅极线的基板上形成有源层、信号线,以及TFT开关作进一步详细描述,具体过程参见图5,包括:步骤501:在形成栅极线的基板上依次沉积栅绝缘层、有源层以及源漏金属层。本发明实施例中,有源层包括:半导体层和掺杂半导体层。这里,栅极绝缘层可以采用氮化硅SiNx、硅基氧化物SiOx、氮氧化矽SiOxNy的单层膜,也可以使用上述材料的复合膜。半导体层采用a-Si非晶硅薄膜,掺杂半导体层采用N+a-Si非晶硅薄膜。源漏金属层的材质包括:Al、Mo、Cu、MoW、和Cr中的一种或多种。步骤502:在源漏金属层上涂抹光刻胶。可采用静态涂胶或动态涂胶的方式在在源漏金属层上涂抹光刻胶。步骤503:通过掩膜板对光刻胶进行曝光和显影处理。掩膜板上不仅包括了设计的信号线和TFT开关的图形,而且,该掩膜板上还包括了部分透光区域。即该掩膜板设计了halftone保护区。部分透光区域不仅包括:TFT开关的沟槽,还包括:与交叉区域对应的第一掩膜区域,该交叉区域包括阵列基板上与栅极线交叉处的信号线的两侧的设定区域。因此,进行曝光和显影处理后,形成的基板包括保留第一厚度光刻胶的第一区域,以及保留第二厚度光刻胶的第二区域,其中,第一区域分别与掩膜板上的不透光区域相对应,第二区域分别与掩膜板上的部分透光区域对应。由于掩膜板上的部分透光区可部分透光,例如透光率为40%,因此,第一区域的光刻胶完全保留,而第二区域的部分光刻胶被曝光,这样,第二厚度小于第一厚度。步骤504:将基板上第一区域与第二区域以外区域中的源漏金属层、掺杂半导体层、以及半导体层依次刻蚀掉。通过湿法刻蚀将第一区域与第二区域以外区域中的源漏金属层刻蚀;通过干法刻蚀将第一区域与第二区域以外区域中的有源层刻蚀掉,即将第一区域与第二区域以外区域中的掺杂半导体层、以及半导体层依次刻蚀掉。步骤505:对光刻胶进行灰化,去掉第二厚度的光刻胶。对光刻胶进行灰化,将设定厚度的光刻胶去掉。这里,设定厚度为第二厚度。第二厚度小于第一厚度,因此,灰化后,第一区域仍有光刻胶进行保护,而第二区域上的光刻胶已去除,露出源漏金属层。即交叉区域,以及TFT沟槽上的光刻胶已去除。步骤506:将去掉光刻胶的第二区域中的源漏金属层、以及有源层中的掺杂半导体层刻蚀掉。通过湿法刻蚀将第二区域中的源漏金属层刻蚀掉,通过干法刻蚀将第二区域中的掺杂半导体层刻蚀掉。刻蚀后,在交叉区域,以及TFT沟槽仍保留有半导体层。步骤507:将灰化后剩下的光刻胶进行剥离,形成信号线,以及TFT开关。通过上述过程,形成了有源层,信号线,以及TFT开关,并且该阵列基板上,与栅极线交叉处的信号线的两侧的设定区域包括半导体层,即在信号线与栅极线的交叉区域保留有半导体层,在信号线与栅极线之间形成了二级台阶,即从栅极(G)与栅极绝缘层(SIN_X)先跃迁到半导体层(a-Si),然后再跃迁到源漏金属层(SD),如图4(b)所示,因此,极大的减少了交叉区域中斜坡的坡度角,减少了交叉区域的信号线发生断路的几率。在本实施例中,部分透光区域包括:TFT开关的沟槽,以及交叉区域对应的第一掩膜区域。这样,部分透光区域的透光率与TFT开关的沟槽深度有关,过大过小都不行,会对TFT开关的沟道的形成产生影响。一般,部分透光区域的透光率30%-70%。较佳的为40%。实施例二,本实施例中,通过五次构图工艺形成TFT-LCD阵列基板,包括:通过第一次构图工艺在基板上形成栅极线;在形成栅极线的基板上沉积半导体层和掺杂半导体层,通过第二次构图工艺形成有源层,以及TFT沟道;通过第三次构图工艺在形成了TFT沟道的基板上形成信号线,以及TFT源漏电极;通过第四次构图工艺形成钝化层以及在TFT开关的漏电极上面形成钝化层过孔;最后,通过第五次构图工艺形成像素电极,使该像素电极通过过孔与TFT开关的漏电极连接。其中,通过第二构图工艺在交叉区域形成缓冲层,缓冲层包括有源层,即包括:半导体层和掺杂半导体层。形成的的TFT-LCD阵列基板的外观仍如图4(a)所示,但第二次构图工艺后B-B方向的截面图如图6所示,此时,半导体层(a-Si)和掺杂半导体层(n+a-Si)组成台阶。下面结合图6对本发明实施例中通过第二构图工艺形成有源层,以及TFT沟道作进一步详细描述,具体过程参见图7,包括:步骤701:在形成栅极线的基板上依次沉积栅绝缘层、有源层以及源漏金属层。步骤702:在源漏金属层上涂抹光刻胶。步骤703:通过掩膜板对光刻胶进行曝光和显影处理。这里,掩膜板只包括不透光区域和透光区域,与现有技术的不同之处掩膜板上不透光区域包括:与交叉区域对应的第二掩膜区域。而交叉区域包括阵列基板上与栅极线交叉处的信号线的两侧的设定区域。因此,进行曝光和显影处理后,形成的基板上交叉区域上保留有光刻胶。步骤704:将基板上未保留光刻胶的区域中的源漏金属层、有源层依次刻蚀掉。由于交叉区域上保留有光刻胶,因此,交叉区域仍保留有掺杂半导体层,以及半导体层。步骤705:将光刻胶进行剥离,形成有源层,以及TFT沟道。通过上述过程,形成的阵列基板上,与栅极线交叉处的信号线的两侧的设定区域包括半导体层和掺杂半导体层。即在信号线与栅极线的交叉区域保留有缓冲层,在信号线与栅极线之间形成了二级台阶,即从栅极(G)与栅极绝缘层(SIN_X)先跃迁到缓冲层,然后再跃迁到源漏金属层(SD),如图6所示,缓冲层包括:半导体层和掺杂半导体层。因此,极大的减少了交叉区域中斜坡的坡度角,减少了交叉区域的信号线发生断路的几率。上述两个实施例分别描述了通过四次构图工艺形成TFT-LCD阵列基板,以及通过五次构图工艺形成TFT-LCD阵列基板,但是本发明实施例不限于此,还可通过三次,六次,七次等构图工艺形成TFT-LCD阵列基板,无论通过几次构图工艺形成TFT-LCD阵列基板,在形成有源层的构图工艺中,在交叉区域中形成缓冲层,该交叉区域包括与栅极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域。具体的过程就不在详细描述了。本发明实施例中形成的TFT-LCD阵列基板上与栅极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域包括:缓冲层,从而,信号线与栅极线的交叉区域中有一个两级台阶,即从栅极绝缘层先跃迁到缓冲层,然后再跃迁到源漏金属层。因此,极大的减少了交叉区域中斜坡的坡度角,在后续的构图工艺中该区域能够涂抹上比较厚的光刻胶,进行湿法刻蚀时,减少了药液发生钻刻的几率,减少了交叉区域的信号线断路的几率,提高了TFT-LCD阵列基板的良品率。另外,在刻蚀工艺中静电对交叉区域内有效图形的金属线可能会产生击穿效应,本发明实施例一中,由于在步骤504进行刻蚀时,第二区域上有光刻胶,这样,额外增加信号线的面积,当有静电积累时,静电在释放的过程中会集中于被第二厚度的光刻胶保护下的无效金属区域,静电释放所产生的高温或者电弧只对无效区域的金属造成影响,而第一厚度的光刻胶保护下的有效信号线金属层不会受到静电的影响。因此,即使该区域有静电放电,也只会对信号线上额外增加的处于第二区域的金属进行击穿,而不会对正常信号线金属区域造成影响,避免了静电击穿造成不良的阵列基板。信号线与栅极线交叉区域会形成电容,由于最后将去掉光刻胶的第二区域中的源漏金属层刻蚀掉了,因此,形成的信号线的结构没有改变,信号线与栅极线交叉区域的电容不会改变,不会给液晶显示器驱动电路带来额外的负载。通过上述工艺不仅可以制作出如图4(a)所示的TFT-LCD阵列基板,而且,还可以制作出如图8(a)所示的包括公共电极的TFT-LCD阵列基板,该TFT-LCD阵列基板包括:栅极线1,TFT开关2,信号线3,像素电极4,信号线与栅极线的交叉区域5,公共电极6,以及信号线与公共电极线的交叉区域7。其中,可通过第一次构图工艺在基板上同时形成栅极线1和公共电极6。因此,交叉区域包括:与栅极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域,或,与公共电极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域,或,与栅极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域以及与公共电极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域。这样,通过形成有源层的构图工艺在交叉区域中形成缓冲层。。形成有源层的工艺具体过程如上述步骤501-507或步骤701-705所示,其中,交叉区域包括:与栅极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域以及与公共电极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域。图8(b)为图8(a)第二次构图工艺后C-C方向的截面图,可见,该阵列基板上,与公共电极线交叉处的信号线的两侧的设定区域包括半导体层。即在信号线与公共电极线交叉区域保留有缓冲层,这里,缓冲层为半导体层,在信号线与公共电极之间形成了二级台阶。这样,从公共电极(C)与栅极绝缘层(SIN_X)先跃迁到半导体层(a-Si),然后再跃迁到源漏金属层(SD)。极大的减少了交叉区域中斜坡的坡度角,减少了交叉区域的信号线发生断路的几率。当然,本发明实施例中,缓冲层还可包括:半导体层和掺杂半导体层,即包括有源层。在上述包括公共电极的TFT-LCD阵列基板中,交叉区域同时包括与栅极线交叉处的信号线的两侧的设定区域,以及与公共电极线交叉处的信号线的两侧的设定区域。当然,在本发明另一实施例中,交叉区域只包括上述一个区域。通过上述工艺还可以制作双栅线的TFT-LCD阵列基板,参见图9,包括:栅极线1,TFT开关2,信号线3,像素电极4,以及信号线与栅极线的交叉区域5。其中,该交叉区域与形成信号线的构图工艺中的掩膜板上与栅极线交叉的信号线图形两侧的设定区域相对应。具体的制作过程就不再累述了。上述实施例中以信号线的两侧为例进行描述,当然本发明实施例不限于此,交叉区域可包括:与栅极线交叉处的信号线的一侧的设定区域,与公共电极线交叉处的信号线的一侧的设定区域中的一个区域或两个区域。因此,本发明实施例中的TFT-LCD阵列基板中,包括:栅极线,有源层,薄膜晶体管TFT开关,信号线,以及像素电极,其中,交叉区域包括缓冲层,该交叉区域包括:与栅极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域,缓冲层包括:半导体层,或者,有源层。有源层包括:半导体层和掺杂半导体层。当阵列基板还包括:公共电极;则该交叉区域包括:与栅极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域,或,与公共电极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域,或,与栅极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域以及与公共电极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域。上述实施例中,设定区域的图形为方形,但是本发明实施例不限于此,还可以是三角形,或,圆弧形。本发明实施例中,通过多次构图工艺形成TFT-LCD阵列基板,其中,通过形成有源层的构图工艺中在交叉区域中形成缓冲层,该交叉区域包括与栅极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域,以及与公共电极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域中的一个或两个,这样,形成的TFT-LCD阵列基板中,与栅极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域包括缓冲层,和/或,与公共电极线交叉处的信号线的至少一侧的设定区域包括缓冲层。因此,信号线与栅极线和/或公共电极线的交叉区域中保留有缓冲层,即在交叉区域形成一个两级台阶,极大的减少了交叉区域中斜坡的坡度角,在后续的构图工艺中该区域能够涂抹上比较厚的光刻胶,进行湿法刻蚀时,减少了药液发生钻刻的几率,减少了交叉区域的信号线断路的几率,提高了TFT-LCD阵列基板的良品率。另外,采用halfxa0tone(半色调掩模板)工艺的第一次刻蚀时,由于额外增加信号线的面积,即使交叉区域有静电放电,也只会对信号线上额外增加的处于第二区域的金属进行击穿,而不会对正常信号线金属区域造成影响,避免了静电击穿造成不良的阵列基板。采用halfxa0tone(半色调掩模板)工艺的第二次刻蚀将第二区域中的源漏金属层刻蚀掉了,因此,形成的信号线的结构没有改变,交叉区域的电容不会改变,不会给液晶显示器驱动电路带来额外的负载。显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。